behlke HTS-SIC碳化硅系列多功能高壓開(kāi)關(guān)HTS 61-15-SiC

behlke HTS-SIC碳化硅系列多功能高壓開(kāi)關(guān)HTS 61-15-SiC

 

高壓開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，低導通電阻，SiC和溝槽FET  

 

● 通過(guò)碳化硅FET（SiC）或溝槽FET技術(shù)實(shí)現極低的導通電阻 

● 具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān) 

● 可通過(guò)TTL信號控制導通時(shí)間 

● 低動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗和 極低的導通損耗 

● 適用于工業(yè)電源應用 

● 過(guò)載和電壓反轉方面均很堅固 

● 出色的dv / dt抗高壓瞬變能力  

 

應用說(shuō)明一：  BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有極高的上升和下降時(shí)間。如果您的應用不需要全切換速度，我們建議您結合使用速度限制選件S-TT（將上升和下降時(shí)間降低約50％）和輸入低通濾波器選件LP結合使用。限速選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路通常存在的高頻困難（例如，自激振蕩，自觸發(fā)，振鈴等），并總體上簡(jiǎn)化了EMC設計。

 

應用說(shuō)明二：快速固態(tài)開(kāi)關(guān)對于不受鉗位的電感負載或過(guò)大的布線(xiàn)電感產(chǎn)生的反向電流相對敏感。反向電流可能會(huì )以不確定的方式導通緩慢的本征（寄生）FET二極管，并且可能導致災難性的開(kāi)關(guān)故障，尤其是在關(guān)斷階段結合高關(guān)斷電流時(shí)。因此，當將電感性負載或高電感性布線(xiàn)連接到開(kāi)關(guān)時(shí)，建議始終將FET開(kāi)關(guān)與快速續流二極管網(wǎng)絡(luò )（快速串行截止二極管+并聯(lián)快速續流二極管）結合使用。該保護二極管網(wǎng)絡(luò )可通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管從外部安裝。它也可以作為選件I-FWDN集成到交換模塊中。

 

出口限制：根據美國法律和德國法律（雙重使用法規），對具有最大峰值電流等于或大于500安培的快速固態(tài)開(kāi)關(guān)進(jìn)行出口限制。未經(jīng)美國或德國出口當局的有效出口許可證，不得將這些貨物出口到第三國?？赡苄枰罱K用戶(hù)聲明。請咨詢(xún)BEHLKE。

 

產(chǎn)品代碼：型號包含有關(guān)電壓，電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前一位數字代表電壓，單位為kV，短劃線(xiàn)前的最后一位數字表示接通行為（0 =固定導通時(shí)間，1 =可變導通時(shí)間）。破折號后的數字表示以安培x10為單位的電流。第二個(gè)破折號后的字母編碼特殊功能。示例HTS 61-15-SiC：HTS = HV晶體管開(kāi)關(guān)，6 = 6 kV，1 =可變導通時(shí)間，120 = 1200安培，SiC =碳化硅（或B =低導通電阻溝道FET）  

 

采用LC2技術(shù)的碳化硅（SiC）開(kāi)關(guān)。穩健和瞬態(tài)證明。由于導通電阻極低，因此導通損耗非常低，在許多情況下無(wú)需采取額外的冷卻措施。請向下滾動(dòng)以查看選項列表。