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        德國原廠(chǎng)進(jìn)口貝克BEHLKE 固態(tài)開(kāi)關(guān)

            

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        品牌BEHLKE 有效期至長(cháng)期有效 最后更新2021-11-02 13:06
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        德國原廠(chǎng)進(jìn)口貝克BEHLKE 固態(tài)開(kāi)關(guān)

        德國原廠(chǎng)進(jìn)口貝克BEHLKE 固態(tài)開(kāi)關(guān) 

         Behlke Power Electronics 總裁兼高級工程師是 Frank Behlke。
        陳華麗
        QQ:2351635597  點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息
        手機:18519260275
        電話(huà):010-64714988-172
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        陳華麗郵箱:sales65@handelsen.cn電話(huà):010-64714988-172 陳華麗微信二維碼
        Frank 從事專(zhuān)業(yè)電子設計已有 35 年多,30 年來(lái)他專(zhuān)攻脈沖電力電子和高壓半導體堆棧。他是您在具有挑戰性的項目中的第一個(gè)聯(lián)系人。Frank 是模擬電子、脈沖電源、EMC 和實(shí)用電子設計方面的專(zhuān)家。
        八十年代初,他在幾家高科技公司擔任自由工程師。他為非常不同的應用開(kāi)發(fā)了許多用于電氣和非電氣測量、控制系統和開(kāi)關(guān)模式電源的測量?jì)x器。但他可能最有趣的工作是 1980 年至 1987 年在德國法蘭克福大學(xué)和明斯特大學(xué),當時(shí)他是一名私人雇用的電子工程師 Ing 教授 Franz Hillenkamp (†2014) 和 Michael Karas 教授因發(fā)明 MALDI 質(zhì)譜儀而獲得 2002 年諾貝爾化學(xué)獎提名,該 質(zhì)譜儀成為全球化學(xué)分析儀器標準。
         
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         BEHLKE 固態(tài)開(kāi)關(guān) 
        工作電壓從 500 V 到200 kV
        15 至16,000 安培(pk) 的峰值電流
        di/dt 從 5 到32 kA/µs(取決于類(lèi)型)
        上升時(shí)間低至 0.8 ns (取決于類(lèi)型)
        傳播延遲時(shí)間短,抖動(dòng)低
        續。工作頻率高達3 MHz
        突發(fā)頻率 高達 10 MHz(取決于類(lèi)型)
        高達 200 kVDC 的安全電流隔離
        通過(guò)簡(jiǎn)單的TTL信號(3-6V)輕松控制
        有源輸入濾波器可實(shí)現出色的 EMC 行為
        短脈沖沒(méi)有危險的不穩定性
        內部時(shí)鐘同步以實(shí)現低 EMI
        帶快速熱觸發(fā)的安全電路
        故障信號輸出和禁止輸入(TTL)
        保證溫度范圍 -40...70 C
        各種被動(dòng)和主動(dòng)冷卻選項
        用于固定和可變導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)
        半橋和全橋開(kāi)關(guān)(推挽) 
        經(jīng)濟高效的放電開(kāi)關(guān)
        所有開(kāi)關(guān)均可用于直流和交流
        高度可靠, 5 年保修
         
         
         
         
        晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準時(shí) 可變接通時(shí)間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件
         
          開(kāi)關(guān),電流取決于導通時(shí)間,可控硅晶閘管。 千安應用,充電和放電,撬棍。
          開(kāi)關(guān),固定導通時(shí)間,標準,MOSFET。一般脈沖應用、充電和放電、脈沖電場(chǎng)。
          開(kāi)關(guān),固定導通時(shí)間, 高 di/dt,MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。
          開(kāi)關(guān),固定導通時(shí)間,超快, MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
          開(kāi)關(guān),固定導通時(shí)間,低導通電阻,溝槽 FET。  大電流,中速充放電。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,標準,MOSFET。 一般脈沖和開(kāi)關(guān)應用,快速上升時(shí)間,高頻。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,高 di/dt,MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流,快速上升時(shí)間。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,低電容,MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結構具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,低導通電阻,碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導通損耗
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,交流 MOSFET。pos的雙向開(kāi)關(guān)。&否定。電壓無(wú)極變化。交流高達 5 MHz。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,推挽,MOSFET。半橋配置中的兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑。真正的方波脈沖。
          開(kāi)關(guān),可變導通時(shí)間,交流推挽,MOSFET。無(wú)極性變化的正負電壓半橋。
           高壓脈沖發(fā)生器單元。實(shí)驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅動(dòng)器。
          FDA,快速恢復高壓二極管組件??焖倮m流二極管和網(wǎng)絡(luò )。
          DLC,用于高壓電子設備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。
          高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。
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